برگزار شده توسط : دانشگاه مازندران
هشتمین کنفرانس مهندسی و فیزیک پلاسمای ایران
تاریخ برگزاری : 25 تير ماه 1400
اثر گاز رقیق کننده بر روی پوشش دهی سطحی یک نانوذره در پلاسمای متان
معصومه رعیت نیا مجاوری , غلامرضا فروتن
مدل چند سیالی پلاسما با مدل سطحی نهشت برای بررسی اثرات گازهای رقیق کننده مختلف بر روی پوشش دهی سطحی یک نانوذره در پلاسمای متان ترکیب شده است. Ar، He و H2 به عنوان گازهای رقیق کننده انتخاب شده و CH3، CH2 و H به عنوان رادیکال های شرکت کننده در رشد فیلم در نظر گرفته می شوند. نتایج شبیه سازی نشان می دهند که بالاترین پوشش سطحی رادیکال هیدروکربنی CH3 مربوط به ترکیب H2⁄CH4 است. نسبت H/C فیلم در همه ترکیبات با زمان کاهش می یابد.
پلاسمای متان، پوشش سطحی، نانوذره
برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است :
در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
, 1400 , اثر گاز رقیق کننده بر روی پوشش دهی سطحی یک نانوذره در پلاسمای متان , هشتمین کنفرانس مهندسی و فیزیک پلاسمای ایران
تاریخ برگزاری : 25 تير ماه 1400